Intel, in collaborazione con SoftBank, prevede di lanciare la sostituzione della memoria HBM già entro il 2029.

SoftBank e Intel prevedono di lanciare sul mercato una nuova memoria Z‑Angle Memory (ZAM) entro il 2029

Come verrà realizzato
Responsabili del progetto: SoftBank – tramite la filiale Saimemory, che si occuperà dello sviluppo e delle vendite. Intel fornirà le tecnologie di produzione e confezionamento. Partecipazione di altri attori: Fujitsu del Giappone partecipa al progetto.

Perché è necessaria la Z‑Angle Memory
* Problemi della HBM esistente:
- Molto costosa ed energivorosa.
- Con l'aumento dei volumi di produzione, il classico DRAM soffre di carenza di risorse.
* Obiettivo della Z‑AM: offrire un'alternativa più economica e energeticamente efficiente, mantenendo al contempo una densità dati elevata.

Caratteristiche tecniche
Parametro | Descrizione
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Struttura | Stack di diversi strati di circuiti (simile alla HBM), ma con metodi di confezionamento e architettura più avanzati.
Densità | Capacità specifica dello stack 2‑3 volte superiore rispetto alla HBM.
Consumo energetico | Ridotto approssimativamente del 50% rispetto alla HBM.
Costo di produzione | Si prevede sia il mantenimento dell'attuale livello dei prezzi, sia una riduzione fino al 40 %.

Tecnologia di confezionamento
* Intel propone la tecnologia NGDB (Next‑Generation Die Bonding), che aumenta l'efficienza energetica della memoria ZAM rispetto alla HBM.
* Nei prototipi sono già stati realizzati otto strati di DRAM sopra il chip base.

Piano di lancio
1. Prototipi intermedi – dimostrazione entro la fine di marzo 2028.
2. Produzione di massa – inizio entro i successivi 12 mesi dalla presentazione, ovvero intorno alla metà del 2029.

In questo modo, SoftBank e Intel intendono scalare rapidamente la produzione della Z‑Angle Memory, offrendo un'opzione di memoria più accessibile ed efficiente per i futuri sistemi ad alte prestazioni.