SK hynix sviluppa chip LPDDR6 da 16 GB con una larghezza di banda di 10,7 Gbit/s per dispositivi flagship della nuova generazione

SK hynix mostra il primo LPDDR6 da 16 Gb/s a 10 nm “1c” in processo tecnologico

Memoria flash a 16 Gb (LPDDR6 1c) – primo prodotto del settore realizzato su un processo di 10 nm della sesta generazione. Data della dimostrazione CES 2026: l’azienda ha mostrato per la prima volta il chip finito e completato il primo test industriale. Pubblico target: smartphone e tablet con “AI‑on‑device” (elaborazione dell’intelligenza artificiale direttamente sul dispositivo).

Indicatori tecnici chiave
Indicatore Valore Confronto Velocità di trasmissione > 10,7 Gb/s (base) +33 % rispetto a LPDDR5X Efficienza energetica 20 % migliore Grazie alla struttura subcanale e al DVFS
- I subcanali permettono di attivare solo le tracce dati necessarie, risparmiando energia.
- Il DVFS (Dynamic Voltage & Frequency Scaling) regola dinamicamente tensione e frequenza in base al carico.

Come cambia l’esperienza utente
Carico Comportamento della memoria Alta (giochi, app AI) Aumenta la larghezza di banda, migliora le prestazioni. Bassa (testi, social media) Riduce frequenza e tensione, risparmia batteria.
Si prevede un miglioramento dell’autonomia e della multitasking nei dispositivi mobili.

Piano di lancio
- Preparazione alla produzione in serie – prima metà del 2026.
- Prime consegne – seconda metà del 2026.

SK hynix afferma che il nuovo LPDDR6 espanderà la gamma di DRAM per dispositivi mobili orientati all’intelligenza artificiale, supportando l’andamento crescente dell’integrazione dei calcoli AI direttamente in telefoni e tablet.