Il Giappone ha creato nanotubi semiconduttori di 1 nanometro, quasi pronti come canali dei transistor

Notizia sulla creazione di nanotubi semiconductori ultra sottili a base di MoS₂

*Breve:*

Gli scienziati giapponesi hanno coltivato con successo tubi monolayer di disolfuro di molibdeno (MoS₂) con un diametro di circa 1 nm – cento mila volte più sottili di una ciocca di capelli umano. È la prima volta che tali strutture sono ottenute da un semiconduttore inorganico, anziché dal carbonio, e possono già fungere da “canali” per futuri transistor a gate all’esterno (gate‑all‑around).

Cosa è stato fatto esattamente?
1. Crescita nella “tuta”

- Come “forma” è stata usata una nanotubo di nitruro di boro (BN).

- Il BN funge contemporaneamente da isolante e come contenitore in cui cresce il MoS₂.

2. Processo di sintesi

- Dopo una serie di annealing nella tuta BN si forma un tubo monolayer quasi perfetto di MoS₂.

- La struttura ottenuta ha un diametro di ~1 nm ed è circondata da uno strato isolante di BN – praticamente un canale transistor pronto.

3. Possibile applicazione

- Tali nanotubi potrebbero diventare la base per transistor con gate che avvolge il canale da tutti i lati, una tecnologia attualmente in fase di sviluppo da parte dei principali produttori di chip.

Perché è importante?
Tipo di tubo | Diametro (≈) | Struttura
---|---|---
Tubi di carbonio multilayer | 10 nm |
Tubi di carbonio monolayer | 5 nm |
Tubulo MoS₂ | 1 nm |

- Spessore: I tubi MoS₂ sono cento mila volte più sottili dei capelli, rendendoli tra i semiconduttori più piccoli.

- Nuove possibilità: Gli ricercatori affermano che il metodo può essere applicato ad altri semiconduttori e persino a materiali superconduttori, ampliando le tecnologie oltre i nanotubi di carbonio e al grafene.

Cosa succede dopo?
*Obiettivo a breve termine:*

Aumentare la lunghezza del tubo da ~1 nm a 1 µm – mille volte. Ciò consentirebbe l’uso pratico in dispositivi che richiedono un canale transistor più lungo.

Conclusione:

La creazione di nanotubi MoS₂ con diametro di 1 nm apre una nuova via verso la miniaturizzazione dei componenti semiconduttori e potrebbe diventare un elemento chiave per le future microchip ad alte prestazioni.