Kioxia ha trovato un modo per superare i concorrenti evitando di aumentare gli strati NAND

Memoria 3D‑NAND di Cipro: come Kioxia cerca di raggiungere i leader

*La tecnologia della memoria a più strati, proposta per la prima volta da Toshiba nel 2007, non ha ancora dato al produttore giapponese un vantaggio competitivo. Per compensare il ritardo in termini di numero di strati, l’azienda sta sviluppando una propria tecnologia di collegamento delle lastre di silicio – CBA (Chip‑Bonded Array).*

Cos’è la CBA e a cosa serve
- Approccio tradizionale

Nei chip NAND classici la logica di controllo era posizionata sulla stessa base delle celle di memoria. Ciò limitava la densità: più strati, maggiore costo e complessità di produzione.

- Nuova idea di Kioxia

Con la CBA la lastra di controllo viene separata dalla lastra con le celle e poi collegata a essa a livello di contatti microscopici. Questo consente di “incollare” più strati di memoria su un’unica scheda di controllo, senza aumentare il numero di strati su una singola base.

- Vantaggi

- Aumento della capacità senza crescita del numero di strati.
- Possibilità di architetture di chip più flessibili.
- Riduzione dei costi per la produzione a densità elevate.

Dati attuali del mercato
Parametro | Kioxia (3D‑NAND) | Competitori
---|---|---
Numero di strati | ~218 | >300, puntano a 400
Velocità lettura/scrittura | +20–30 % rispetto ai concorrenti |

Kioxia utilizza già la CBA nei suoi prodotti “flagship”. Tuttavia l’azienda rimane al terzo posto nel segmento della memoria flash, lasciata in secondo piano dai giganti coreani (Samsung, SK Hynix). Le posizioni di Kioxia nel mercato server, profittevole e in rapida crescita, sono ancora deboli.

Cosa significa per il futuro
- Potenziale di crescita

Se la tecnologia CBA consente davvero di raggiungere una densità più elevata senza costi significativamente maggiori, Kioxia potrebbe cambiare l’equilibrio delle forze nel mercato della memoria NAND.

- Fattore chiave – precisione del collegamento

Per la produzione su larga scala è cruciale un’alta precisione nella posizionamento delle lastre. Secondo gli analisti, in questa direzione Kioxia supera i concorrenti.

Conclusione
Kioxia continua a combattere il ritardo nel numero di strati introducendo la tecnologia innovativa CBA, che promette di aumentare capacità e velocità dei chip NAND. Fino ad ora i risultati non hanno completamente rivoluzionato il mercato, ma le nuove soluzioni potrebbero diventare un fattore decisivo nella corsa alla leadership nel segmento della memoria flash.