Samsung e SK Hynix hanno investito quasi un miliardo di dollari nella crescita della produzione di memoria in Cina lo scorso anno

Come i giganti coreani della memoria mantengono l'accesso alle attrezzature americane e sviluppano la produzione in Cina

Durante la presidenza di Joe Biden le autorità statunitensi hanno cercato di limitare la possibilità per i produttori coreani di espandere i loro stabilimenti in Cina. Queste fabbriche sono fondamentali per le forniture di chip di memoria sul mercato mondiale. Tuttavia Samsung e SK Hynix sono riusciti a mantenere l'accesso alle attrezzature americane, investendo contemporaneamente nella modernizzazione delle loro imprese cinesi.

1. Samsung Electronics
Indicatore Dati Investimenti a Xi’an (2023) $344 mila Rise rispetto al 2022 +67,5 % Ruolo dello stabilimento Il unico sito estero di Samsung per la memoria NAND; fornisce fino al 40 % del volume mondiale di produzione
Storia degli investimenti Dopo aver investito $464 mila nel 2019 l’azienda non ha effettuato grandi finanziamenti per quattro anni. Nel 2024 sono stati destinati $184 mila, e lo scorso anno l’importo è stato quasi raddoppiato.
Così Xi’an è diventata una sede strategica per Samsung, soprattutto considerando la crescita della domanda di memoria nell’era dell’intelligenza artificiale.

2. SK Hynix
Indicatore Dati Investimenti totali in Cina (2023) oltre $663 mila Fabbriche – stabilimento DRAM a Wuxi; 3D‑NAND fabbrica a Dalian, acquistata da Intel nel 2022
Investimenti a Wuxi (2023) doppio fino a $190 mila
Investimenti a Dalian (2023) $293 mila (un anno e mezzo più di quello del 2024)
Peso economico ≈ 1 trilione di won coreani – somma significativa per l’azienda
SK Hynix sta espandendo attivamente la produzione di DRAM e 3D‑NAND per soddisfare la crescente domanda di memoria da parte dell’intelligenza artificiale e dei servizi cloud.

3. Piani tecnologici
Azienda Prodotto previsto Dove sarà prodotto
Samsung 236‑layer 3D‑NAND (passaggio da 128 layer) Cina
Samsung 400‑layer 3D‑NAND Sud Corea
SK Hynix Rivoluzione del processo di produzione DRAM a Wuxi al quarto generazione 10‑nm (1a) Wuxi, Cina

- Samsung intende lanciare una memoria più avanzata a 236 layer in Cina, permettendole di rimanere competitiva nonostante le restrizioni tecnologiche del paese.

- SK Hynix prevede di aggiornare il processo DRAM a Wuxi a 10‑nm (1a), garantendo la produzione efficiente di DDR5. Lo stabilimento già copre oltre il 30 % del volume mondiale di DRAM dell’azienda.

Conclusione
Nonostante gli sforzi degli Stati Uniti per limitare l'accesso dei produttori coreani alle attrezzature americane, Samsung e SK Hynix continuano a investire centinaia di milioni di dollari in Cina. Ciò consente loro di mantenere la competitività, espandere la produzione di NAND‑memory e DRAM e prepararsi alla futura crescita della domanda, soprattutto nel settore dell’intelligenza artificiale.