Samsung ha presentato al Computex 2026 un prototipo di memoria HBM5 Stack

Samsung Electronics — primi passi verso l’HBM5

Recentemente Samsung Electronics ha annunciato l’inizio della consegna di campioni di memoria HBM4E, ma allo stesso tempo sta già sviluppando attivamente la prossima generazione – HBM5. Alla fiera Computex 2025 l’azienda ha mostrato solo un grande modello del chip HBM5, per dare una visione generale della sua struttura. Già ora si nota che la tecnologia sarà complessa e impegnativa.

Dettagli chiave dello sviluppo
Parametro Cosa fa Samsung Chips base Produzione autonoma su processo 2‑nm Numeri di strati DRAM Dal 12 al 20 (classe 1c) Tecnologie GAA Previsto per chip 2‑nm Processo inferiore a 1 nm L’azienda è fiduciosa di poterlo padroneggiare in futuro
Il direttore tecnico della divisione Samsung Electronics, Song Jaehyuk, ha confermato la partecipazione dell’azienda allo sviluppo e all’implementazione di queste tecnologie. La presenza di una unità contrattuale consente di soddisfare le esigenze dei clienti più esigenti, tra cui Nvidia.

Confronto con HBM4E
* L’HBM4E utilizza un chip base da 4 nm e il processo 1c per la produzione di chip DRAM che formano lo stack di memoria.

* L’HBM5 offrirà:

* Un chip più sottile (2 nm) e un numero flessibile di strati (12–20).

* Heat Path Block (HPB) – canale di dissipazione del calore per un raffreddamento efficiente.

* Velocità di trasferimento dati aumentata grazie a un’architettura migliorata.

La tecnologia HPB è già stata ottimizzata con l’HBM4E, e Samsung prevede di utilizzare metodi avanzati di dissipazione del calore per aumentare la stabilità della memoria. La produzione di massa dell’HBM5 è prevista a partire dal 2028, e nell’ambito HBM5E i chip DRAM saranno prodotti con un processo più avanzato 1d.

Cosa fanno i concorrenti
* SK hynix utilizza una tecnologia di raffreddamento simile – iHBM. Ciò significa che la soluzione Samsung non è unica in termini di dissipazione del calore.

* SK hynix sta inoltre introducendo chip da 2 nm all’interno dell’HBM5 e prevede la produzione di massa con l’utilizzo di iHBM.

Conclusione
Samsung Electronics sta già sviluppando l’HBM5 basato su un processo 2‑nm, prevedendo fino a 20 strati DRAM e una dissipazione del calore innovativa HPB. La produzione di massa è prevista per il 2028, mentre concorrenti come SK hynix adottano soluzioni analoghe (iHBM). In generale, Samsung dimostra fiducia nella padronanza delle tecnologie inferiori a 1 nm e la capacità di soddisfare le esigenze dei clienti più grandi.