Samsung interrompe la produzione di 2‑D NAND e trasferisce gli stabilimenti alla produzione di HBM4.

Samsung interrompe la produzione di flash NAND 2‑D e reindirizza gli stabilimenti verso l’HBM4

Quest’anno Samsung ha annunciato il completo abbandono della produzione di memoria flash NAND 2‑D. Le linee rimanenti saranno rimandate alla fabbricazione di memorie HBM4, attualmente molto richieste a causa dell’esplosivo aumento dell’intelligenza artificiale.

Cosa succede nello stabilimento di Hwason
Secondo *The Elec Korea*, Samsung prevede di chiudere la produzione di NAND 2‑D nel suo impianto di Hwason. Invece di dismettere completamente la linea, l’azienda la convertirà per la metallizzazione del DRAM – il processo di applicazione delle tracce che collegano le celle di memoria all’interno del chip.

- Capacità della linea 12: da 80 000 a 100 000 piastre da 12 pollici al mese.

- Queste piastre erano precedentemente utilizzate esclusivamente per flash NAND 2‑D, ma la tecnologia è ormai obsoleta dopo l’avvento del NAND 3‑D.

Ora su questa linea verrà prodotto DRAM di sesta generazione (10 nm), usato in HBM4. Samsung prevede che la capacità mensile totale di produzione di DRAM – incluse le linee 3 e 4 a Pyeongtaek – raggiunga circa 200 000 piastre entro la fine del secondo semestre.

Perché il NAND 2‑D sta scomparendo
La memoria NAND 2‑D è apparsa per la prima volta alla fine degli anni ’90. Negli ultimi anni i produttori l’hanno gradualmente abbandonata, passando a una tecnologia più avanzata: il NAND 3‑D. Il NAND 3‑D offre vantaggi significativi: maggiore capacità, migliore affidabilità e prestazioni di velocità notevolmente superiori.

Secondo il piano di Samsung, la cessazione definitiva della produzione di NAND 2‑D è prevista per marzo. Dopo questo punto lo stabilimento passerà completamente alla produzione di soluzioni più moderne – tra cui l’HBM4, richieste nei sistemi di calcolo ad alte prestazioni e nelle applicazioni di intelligenza artificiale.